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MMBT2369A

SOT-23 Transistor MMBT2369A

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概要 MMBT2369A

The MMBT2369A is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for use in electronic circuits that require amplification or switching functions. It has a maximum collector-base voltage (VCBO) of -60V and a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of -30V. The maximum emitter-base voltage (VEBO) is -5V.This transistor has a continuous collector current (IC) rating of 100mA and a power dissipation (Pd) rating of 350mW. It has a low saturation voltage of 0.5V at a collector current of 10mA, making it suitable for low power applications. The MMBT2369A has a transition frequency (FT) of 250MHz, which indicates its speed of operation.The transistor is housed in a SOT-23 surface-mount package, which is small and suitable for high-density circuit board designs. It is RoHS compliant and is compatible with lead-free soldering processes.

主な特長

  • Fast response time
  • Low power consumption
  • High temperature tolerance
  • Suitable for automotive applications

応用

  • Electronic device amplification
  • Voltage amplification circuits
  • Transistor array usage

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 15 V Collector- Base Voltage VCBO 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO 4.5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV
Maximum DC Collector Current 200 mA Pd - Power Dissipation 225 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series MMBT2369A Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 200 mA DC Collector/Base Gain hfe Min 40
DC Current Gain hFE Max 120 Height 0.93 mm
Length 2.92 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory Transistors
Technology Si Width 1.3 mm
Part # Aliases MMBT2369A_NL Unit Weight 0.000282 oz

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