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MMDF2C03HDR2G

Dual MOSFET for both N-Channel and P-Channel, operating at 30V with current ratings of 4

在庫：5,294

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概要 MMDF2C03HDR2G

The MMDF2C03HDR2G is a powerful surface mount product designed for high-energy, low voltage applications. With its advanced power MOSFET technology and High Cell Density process, this device offers ultra-low RDS(on) and true logic level performance. Its ability to withstand high energy in avalanche and commutation modes, as well as its low reverse recovery time for the drain-to-source diode, make it ideal for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is crucial

主な特長

  • Soft Avalanche for Reduced EMI
  • Pulse Width Modulation Compatible
  • High Efficiency with Low VF

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Obsolete Compliance PbAHP
Package Type SOIC-8 Case Outline 751-07
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Channel Polarity Complementary
Configuration Dual V(BR)DSS Min (V) 30
VGS Max (V) 20 ID Max (A) 4.1
PD Max (W) 2 Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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This MOSFET is optimized for power electronics applications requiring high current and voltage ratings
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