• packageimg
packageimg

MPS4250

MPS4250: A compact PNP bipolar transistor ideal for small signal applications

在庫：8,195

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください MPS4250 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 MPS4250

The MPS4250 is a cutting-edge silicon pressure sensor that offers unparalleled accuracy and reliability for a wide range of applications. With a supply voltage range of 5 to 11.4 volts and the ability to measure pressures from 0 to 250 kPa, this sensor is well-equipped to handle diverse pressure sensing needs

主な特長

  • Simplifies Design
  • Reduces Complexity
  • Increases Efficiency

応用

  • Advanced process control
  • Electronic appliances
  • State-of-the-art robotics

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-92-3
Transistor Polarity PNP Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V
Collector- Base Voltage VCBO 40 V Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 250 mV Maximum DC Collector Current 50 mA
Pd - Power Dissipation 625 mW Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Brand onsemi
DC Collector/Base Gain hfe Min 250 Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 5000 Subcategory Transistors
Technology Si

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

BUK7227-100B

BUK7227-100B

Silicon-based general purpose power FET
IRF9511

IRF9511

IRF9511: Si Power MOSFET, 80V, 3A, 1.2Ω, P-Channel
SSM6K504NU

SSM6K504NU

N-channel MOSFET Transistor with 30V and 9A rating in UDFN packaging
IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF

HEXFET P-Channel MOSFET capable of handling up to -30 volts, exhibiting a low on-resistance of 14.6 milliohms and a gate charge of 16 nanocoulombs
IXFN80N50P

IXFN80N50P

MOSFET with a 500V voltage rating and a maximum current capacity of 66A
SST4392

SST4392

Single-Element Electronic Component
2SC5101

2SC5101

2SC5101 - NPN General Purpose Transistor with a maximum voltage of 140V and current rating of 10A
2N4401BU

2N4401BU

3-Pin TO-92 Bag, NPN Transistor, General Purpose, 40V, 0.6A, 625mW
IRF7103PBF

IRF7103PBF

MOSFET Dual N-Channel 50V 3A SOIC8
FQA19N20C

FQA19N20C

Advanced N-Channel 200V MOSFET Q-FET