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IXFN80N50P

MOSFET with a 500V voltage rating and a maximum current capacity of 66A

在庫：8,515

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概要 IXFN80N50P

With the IXFN80N50P, engineers and designers can confidently tackle the challenges of power electronics design, thanks to its outstanding performance and reliability. Whether used in motor control systems, UPS devices, or phase-shift bridges, this HiPerFET excels in delivering high power density, low conduction losses, and fast switching speeds. Its unique combination of features makes it a versatile choice for demanding applications where efficiency and reliability are paramount

主な特長

  • Polarity Inverted
  • Low Loss
  • High Speed

応用

  • Compact Power Devices
  • High-Power Applications
  • Quality Power Components

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.065
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 66 Gate Charge (nC) 195
Input Capacitance, CISS (pF) 12700 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.18
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 700 Maximum Reverse Recovery (ns) 200
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

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