• packageimg
packageimg

NJT4031NT1G

NPN Bipolar Junction Transistor, 40V Voltage Rating, 3A Current Rating, SOT-223 Package, Tape and Reel Packaging

在庫：7,904

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください NJT4031NT1G このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 NJT4031NT1G

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 215MHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: Lead (27-Jun-2018)

主な特長

  • Overvoltage Protection Available
  • Undercurrent Protection Available
  • High-Frequency Noise Filtering
  • Auto-Recovery from Faults Enabled

応用

  • Efficient charging
  • Battery protection
  • Power saving mode

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type SOT-223-4 / TO-261-4D Case Outline 0.0318
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 1000
ON Target N Polarity NPN
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.3
IC Cont. (A) 3 VCEO Min (V) 40
VCBO (V) 40 VEBO (V) 6
VBE(sat) (V) 1 VBE(on) (V) 1
hFE Min 200 hFE Max 500
fT Min (MHz) 215 PTM Max (W) 2
Pricing ($/Unit) $0.212Sample

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

IRF8010STRLPBF

IRF8010STRLPBF

The IRF8010STRLPBF is a powerful MOSFET device designed for high-speed switching applications
BC80740MTF

BC80740MTF

PNP Bipolar Transistor BC80740MTF with -800 mA and -50 V ratings
AUIRLS3036-7P

AUIRLS3036-7P

This MOSFET, designated AUIRLS3036-7P, is engineered for automotive electronics, ensuring reliability under harsh conditions
IXXH50N60C3D1

IXXH50N60C3D1

600V/100Amp XPT IGBT C3-Class IGBT Transistors CoPacked
2SA1037AKT146Q

2SA1037AKT146Q

Bipolar transistors with PNP configuration, rated for 50V and 0.15A
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Dual P-Channel 40 V MOSFET
DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13

40V MOSFET with P-Channel and enhanced performance
SI7164DP-T1-GE3

SI7164DP-T1-GE3

N-Channel Power Field-Effect Transistor with 23.5A current capacity and 60V voltage capacity
IRGB10B60KDPBF

IRGB10B60KDPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
ZVP4525GTA

ZVP4525GTA

P-Channel Silicon MOSFET with SOT-223 Package, 0.265A Drain Current, 250V Voltage Rating