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IXXH50N60C3D1

600V/100Amp XPT IGBT C3-Class IGBT Transistors CoPacked

在庫:6,483

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概要 IXXH50N60C3D1

Featuring a sophisticated half-bridge configuration, the IXXH50N60C3D1 is equipped with two IGBTs and anti-parallel diodes that ensure optimal efficiency during operation. Its low on-state voltage drop and high switching speeds make it a standout choice for applications where every bit of energy efficiency matters. When it comes to thermal management, this module goes above and beyond with a built-in temperature sensor and a metal baseplate that work together to dissipate heat effectively, ensuring that the IXXH50N60C3D1 can withstand even the most demanding temperature conditions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247AD
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Pd - Power Dissipation 600 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series IXXH50N60
Brand IXYS Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 30
Subcategory IGBTs Tradename XPT
Unit Weight 0.229281 oz

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