NSS30100LT1G
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
在庫:8,449
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部品番号 : NSS30100LT1G
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パッケージ/ケース : TO-236-3
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ブランド : onsemi
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コンポーネントのカテゴリ : Single Bipolar Transistors
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日付シート : NSS30100LT1G データシート (PDF)
概要 NSS30100LT1G
The NSS30100LT1G is a cutting-edge product designed for optimal energy control in low voltage, high-speed switching applications. With its ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability, this miniature surface mount device offers unparalleled efficiency at an affordable price point. Ideal for use in a variety of settings where efficient energy management is crucial, this transistor is a game-changer in the world of electronics
主な特長
- Low Power Consumption, High Speed
- Rapid Switching Time, Low VCEsat
- High Gain Bandwidth, Small Package Size
応用
- Powering small devices
- Control of external loads
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Status | Active | Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 200mA, 2A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V | Power - Max | 310 mW |
Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) | Base Product Number | NSS30100 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。
部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。
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支払い
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NSV60600MZ4T1G
Low VCE(sat) Transistor, PNP type, with 60 volts and 6.0 amps
BSC035N10NS5ATMA1
High-current N-Channel MOSFET
BSC030N08NS5ATMA1
Tape and Reel Packaging for Automated Assembly
STL160NS3LLH7
LGS LV MOSFET, product STL160NS3LLH7, is described as a MOSFET
BSC046N10NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
IRFZ44NSPBF
MOSFET with a 60V voltage rating, N-channel type, HEXFET technology, 17.5mOhms on-resistance, and 16.7nC total gate charge
BSZ160N10NS3G
N-Channel Silicon MOSFET, 8A Drain Current, 100V Drain-Source Voltage, 0.016ohm On-Resistance, Plastic Package, GREEN, TDSON-8
BSC0909NS
N-channel 34V Trans MOSFET with 12A current rating in a TDSON EP package
BSC0902NS
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
BSZ440N10NS3 G
Packaged in an 8-pin Thin Shrink Small Outline No Lead (TSDSON) with exposed pad