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NTD12N10G

Power MOSFET with 100V voltage rating and 12A current capacity

在庫：5,463

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概要 NTD12N10G

Whether you're building a power supply, motor control system, or LED driver, the NTD12N10G MOSFET offers the performance and reliability you need. Its versatile specifications and rugged design make it a versatile component for a wide range of electronic projects. Upgrade your designs with the NTD12N10G and experience enhanced efficiency and performance

主な特長

  • Avalanche Energy and IDSS Specified.
  • Pb-Free Packaging Options Available.
  • Elevated Temperature Operation Tested.

応用

  • Sensor Networks
  • IoT Devices
  • Renewable Energy

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package DPAK
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Base Product Number NTD12

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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