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NTMFS4983NFT1G

Low Power Dissipation of 1.7 Watts at Ambient Temperature

在庫：9,372

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概要 NTMFS4983NFT1G

The NTMFS4983NFT1G MOSFET is a versatile and high-quality component suitable for a wide range of applications. Its N-channel design allows for efficient current conduction, while the low on-resistance ensures minimal power loss. With a continuous drain current rating of 30A and a drain-source voltage of 30V, this MOSFET can handle demanding loads with ease. The threshold voltage of 1.7V and test voltage of 10V make it easy to drive and control, making it a reliable choice for power electronics projects

主な特長

  • Magnetic Core Less Design
  • Low Power Consumption
  • Autoranging Functionality
  • Noise Immune Signal

応用

  • Smart Home Energy Monitoring
  • Sensor Node Power Supply
  • Heating Element Control

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type SO-8FL / DFN-5 Case Outline 488AA
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 1500
ON Target N Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 30
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 2.3
ID Max (A) 106 PD Max (W) 3.13
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 3.1 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 2.1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) 25 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 22.6
Ciss Typ (pF) 3250 Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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Certified for RoHS Compliance
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FZT788BTA, identified as a Bipolar Transistor (BJT), offers versatility and reliability for diverse circuit configurations
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