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MRF151A

Transistor for RF Power amplification

在庫：3,350

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概要 MRF151A

Housed in a convenient TO-62 package with a flange mounting style, the MRF151A ensures easy installation and effective heat dissipation, thanks to its high thermal conductivity. The inclusion of a gold metallization system further enhances its reliability and performance, particularly in high-power scenarios. The built-in internal input and output matching networks simplify circuit design and help reduce assembly costs, making it an attractive option for engineers and designers seeking efficiency and convenience in RF power amplifier setups

主な特長

  • Fully shielded against noise
  • Accurate frequency measurement
  • Long term reliability promised

応用

  • Industrial RF technology
  • Scientific equipment usage
  • RF test gear needs

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category RF MOSFET Transistors RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel Technology Si
Id - Continuous Drain Current 16 A Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 125 V
Operating Frequency 175 MHz Gain 13 dB
Output Power 150 W Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Mounting Style Flange Mount
Package / Case 244-4 Brand MACOM
Configuration Single Pd - Power Dissipation 416 W
Product Type RF MOSFET Transistors Factory Pack Quantity 20
Subcategory MOSFETs Type RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage 40 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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