R6009KNJTL
Product R6009KNJTL is a MOSFET with a resistance of 535 milliohms at a current of 2
在庫:2,530
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : R6009KNJTL
-
パッケージ/ケース : D2PAK-3
-
ブランド : Rohm Semiconductor
-
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
-
日付シート : R6009KNJTL データシート (PDF)
概要 R6009KNJTL
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 R6009KNJTL ドライバー、プロデュース Rohm Semiconductor. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 R6009KNJTL.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 9 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 16.5 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 94 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | Super Junction-MOS KN | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Single | Fall Time | 28 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.3 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 33 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 37 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Part # Aliases | R6009KNJ | Unit Weight | 0.139332 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
![A3T23H300W23SR6](/img/package/sot.jpg)
A3T23H300W23SR6
300-2400 MHz, Average Power of 63 Watts, 30 Volts
![BSR606NH6327XTSA1](/img/package/sot23.jpg)
BSR606NH6327XTSA1
Automotive Grade N-Channel 60V 2.3A Transistor MOSFET, AEC-Q101 Compliant, SC-59 Package, Tape and Reel
![IPN50R650CEATMA1](/img/package/sot223.jpg)
IPN50R650CEATMA1
IPN50R650CEATMA1 N-MOSFET 500V 2.6A SOT-223-3
![SIR626LDP-T1-RE3](/img/package/power33.jpg)
SIR626LDP-T1-RE3
High-current N-Channel Power MOSFET
![SIR638ADP-T1-RE3](/img/package/power33.jpg)
SIR638ADP-T1-RE3
Power MOSFET with a 20V gate-source voltage and 40V drain-source voltage in a compact SO-8 package
![SIR681DP-T1-RE3](/img/package/power33.jpg)
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
![SIR610DP-T1-RE3](/img/package/power33.jpg)
SIR610DP-T1-RE3
VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 35.4A, POWERPAK SO
![SIR626DP-T1-RE3](/img/package/power33.jpg)
SIR626DP-T1-RE3
Vishay SIR626DP-T1-RE3 N-channel MOSFET, 100 A, 60 V TrenchFET, 8-Pin SO
![SIR668ADP-T1-RE3](/img/package/power33.jpg)
SIR668ADP-T1-RE3
VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 93.6A, 150DEG C
![IPA60R600P6](/img/package/llp.jpg)
IPA60R600P6
LOW POWER PRC MOSFET
![IPD25N06S4L30ATMA2](/img/package/dpak.jpg)
IPD25N06S4L30ATMA2
The IPD25N06S4L30ATMA2 is a N-channel MOSFET rated for 60V and 25A, packaged in a TO-252 format and provided in Tape and Reel packaging
![2SD1027](/img/package/to220.jpg)
2SD1027
Darlington Transistors 2SD1027
![NTE2403](/img/package/to-3.jpg)
NTE2403
Product NTE2403 is a PNP type bipolar junction transistor specifically designed for radio frequency applications
![IRFP460LCPBF](/files/uploads/product/s/69ee4ac0feae47a5a5d2343873f8842a.webp)
IRFP460LCPBF
The IRFP460LCPBF is a TO-247AC-3 package MOSFET that complies with RoHS regulations
![SQ2360EES-T1-GE3](/img/package/sot23.jpg)
SQ2360EES-T1-GE3
SQ2360EES-T1-GE3 from Vishay: An N-channel MOSFET transistor rated for currents up to 4
![SI4925BDY-T1-E3](/img/package/soic8.jpg)
SI4925BDY-T1-E3
Transistor MOSFET P-channel with a 30V voltage rating and a maximum current of 5.3A, packaged in an 8-pin SOIC
![BUV298AV](/img/package/sot.jpg)
BUV298AV
60A NPN Silicon Power Transistor
![FZT600TA](/files/uploads/product/s/9650a13d4a7b4b0f81e1856fcff240c0.webp)
FZT600TA
40V maximum voltage rating in a 4-pin configuration with a tab for heat dissipation in a tape and reel packaging
![IXTT16N20D2](/img/package/to268.jpg)
IXTT16N20D2
The IXTT16N20D2 MOSFET falls under the category of N-channel depletion mode devices
![IXTY1R6N50D2](/img/package/dpak.jpg)
IXTY1R6N50D2
N-channel MOSFETs with a voltage rating of 500V and a current rating of 1.6A