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RFP4N100

N-Channel Power MOSFET TO-220AB

在庫:7,834

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概要 RFP4N100

N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220-3

主な特長

  • 4.3A, 1000V
  • rDS(ON) = 3.500Ω
  • UIS Rating Curve (Single Pulse)
  • -55°C to 150°C Operating Temperature
  • Related Literature
  • - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS N
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1 kV
Id - Continuous Drain Current 4.3 A Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 150 W
Channel Mode Enhancement Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 50 ns
Height 16.3 mm Length 10.67 mm
Product Type MOSFET Rise Time 50 ns
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 170 ns Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Width 4.7 mm Unit Weight 0.068784 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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