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BSM200GB170DLC

The BSM200GB170DLC is an N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor designed to handle currents up to 400A and withstand voltages of 1700V

在庫：7,875

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概要 BSM200GB170DLC

The inclusion of a baseplate for mounting and thermal management is a practical feature that enables optimal heat dissipation during operation. With a wide operating temperature range of -40°C to 125°C, the BSM200GB170DLC guarantees reliable performance in diverse environmental conditions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS N
Product IGBT Silicon Modules Configuration Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.7 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Continuous Collector Current at 25 C 400 A Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Pd - Power Dissipation 1.66 kW Package / Case 62 mm
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 125 C
Brand Infineon Technologies Height 30.5 mm
Length 106.4 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 61.4 mm
Part # Aliases SP000100711 BSM200GB170DLCHOSA1

保証と返品

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