RN4982,LF(CT

Name: RN4982,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status	Active	Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	10kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Frequency - Transition	250MHz, 200MHz
Power - Max	200mW	Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-363-6	Supplier Device Package	US6
Base Product Number	RN4982	Manufacturer	Toshiba
Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	RoHS	Details
Transistor Polarity	NPN, PNP	Typical Input Resistor	10 kOhms
Mounting Style	SMD/SMT	DC Collector/Base Gain hfe Min	50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	200 mW	Series	RN4982
Brand	Toshiba	Emitter- Base Voltage VEBO	10 V
Number of Channels	2 Channel	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.000212 oz

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