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SBC847BLT1G

Device labeled SBC847BLT1G featuring NPN silicon technology, designed for applications requiring small signal amplification

在庫：7,347

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概要 SBC847BLT1G

The SBC847BLT1G is a versatile NPN Bipolar Transistor that's perfect for a variety of linear and switching applications. Its compact design is housed in the popular SOT-23 package, making it ideal for lower power surface mount applications. Whether you're working on a small-scale project or a larger industrial application, this transistor is sure to deliver reliable performance

主な特長

  • Dielectric Strength: >2 kV AC, 1 minute Test Duration
  • Pulse Voltage: <6 kV DC, 100 μs Pulse Duration
  • Arc Testing Performed at 12 V DC
  • Fuse Link Testing Available upon Request
  • Insulation Resistance Testing Performed to IEC Standards
  • Electrical Safety Testing and Certification Provided

応用

  • EMI Shielding
  • Transient Voltage Suppressor
  • Diode Array

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type SOT-23-3 Case Outline 318-08
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 3000
ON Target N Polarity NPN
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.25
IC Cont. (A) 0.1 VCEO Min (V) 45
VCBO (V) 50 VEBO (V) 6
VBE(sat) (V) 0.7 VBE(on) (V) 0.66
hFE Min 200 hFE Max 450
fT Min (MHz) 100 PTM Max (W) 0.225
Pricing ($/Unit) $0.0425

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

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