SI1025X-T1-GE3

Name: SI1025X-T1-GE3
Brand: VISHAY
Rating: 4.5 (10 reviews)

SC89-6 Packaged MOSFET with -60V Vds and 20V Vgs

在庫：7,971

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部品番号 : SI1025X-T1-GE3
パッケージ/ケース : SC-89 (SOT-563F)
Brand : VISHAY
Components Classification : FET, MOSFET Arrays
日付シート : SI1025X-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI1025X

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概要 SI1025X-T1-GE3

The SI1025X-T1-GE3 MOSFET is a dual P-channel transistor with a drain-source voltage of -60V and a continuous drain current of -190mA, making it suitable for low power applications. Its on-resistance of 8ohm and test voltage of -4.5V ensure efficient power flow control. With a power dissipation of 250mW and an operating temperature range of -55°C to 150°C, this transistor offers reliable performance in varying environmental conditions. It comes in a SC-89 case style with 6 pins, providing easy integration into circuit designs. Additionally, it complies with Moisture Sensitivity Level (MSL) standards for safe handling and storage

主な特長

Halogen-free
TrenchFET® power MOSFET
High-side switching
4R Low ON-resistance
2V Low threshold
20ns Fast switching speed
23pF Low input capacitance
Miniature package

応用

Industrial
Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	VISHAY	Product Category	FETs - Arrays
Series	TrenchFET®	Packaging	Alternate Packaging
Part-Aliases	SMD/SMT	Unit-Weight	Si
Mounting-Style	2 Channel	Tradename	SC-89-6
Package-Case	Dual	Technology	2 P-Channel (Dual)
Operating-Temperature	60V	Mounting-Type	190mA
Number-of-Channels	4 Ohm @ 500mA, 10V	Supplier-Device-Package	3V @ 250μA
Configuration	1.7nC @ 15V	FET-Type	250 mW
Power-Max	20 V	Transistor-Type	8 Ohms
VDSS – Drain-Source Voltage	P-Channel

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