SI2312CDS-T1-GE3

Name: SI2312CDS-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - MOSFET,N CHANNEL,20V,6A,DIODE,SOT23

数量	単価(USD)	合計金額
5	$0.184	$0.92
50	$0.162	$8.10
150	$0.152	$22.80
500	$0.141	$70.50
3000	$0.117	$351.00
6000	$0.113	$678.00

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部品番号 : SI2312CDS-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOT23-3
Brand : VISHAY
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI2312CDS-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI2312CDS

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概要 SI2312CDS-T1-GE3

With a maximum drain-source voltage of 20V, the SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET is suitable for various low voltage applications. Its low on-resistance of 26.5mΩ ensures efficient performance with minimal power loss. The transistor can handle a continuous drain current of 6A and has a maximum power dissipation of 1.25W, making it a versatile component for different circuit designs

主な特長

TrenchFET® power MOSFET

100% Rg tested

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	31.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	8.8 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.1 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	17 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	31 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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