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SI1869DH-T1-E3

This load switch offers reliable performance and high-level shifting functionality, making it a versatile solution for various electronic systems

在庫：7,545

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概要 SI1869DH-T1-E3

The SI1869DH-T1-E3 is a dual NPN/PNP MOSFET with a 20V drain-source voltage rating and a SC-70 package. This transistor can handle a continuous drain current of 1.2A for the N-channel and -1.2A for the P-channel. It is designed for use in applications requiring both NPN and PNP transistors in a single package

主な特長

  • This device is designed to provide efficient and reliable performance in power management applications with high current demands
  • requiring low on-resistance and compact packaging.

応用

  • High switching speed
  • Low on-state resistance
  • Load switching

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-363-6 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 1.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 165 mOhms
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 1 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Brand Vishay Semiconductors
Configuration Dual Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Part # Aliases SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-E3 Unit Weight 0.000265 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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