SKP10N60A
Described as an Insulated Gate Bipolar Transistor, the SKP10N60A boasts a 20A current capacity and a 600V breakdown voltage
在庫:5,365
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部品番号 : SKP10N60A
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パッケージ/ケース : TO-220-3
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Brand : INFINEON
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Components Classification : Single IGBTs
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日付シート : SKP10N60A データシート (PDF)
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Series : SKP10N60
概要 SKP10N60A
IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Through Hole PG-TO220-3-1
主な特長
- High voltage tolerance
- Fast switching speed
- Low inrush current
- Easy maintenance access
- High temperature resistance
応用
- Used in consumer goods
- Versatile for automation
- Efficient power switch
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | SKP10N60 | Brand | Infineon Technologies |
Continuous Collector Current Ic Max | 20 A | Height | 9.25 mm |
Length | 10 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 500 | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.4 mm | Part # Aliases | SKP10N60AXK SP000683144 SKP10N60AXKSA1 |
Unit Weight | 0.211644 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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