SSM3J56ACT,L3F

Name: SSM3J56ACT,L3F
Brand: Toshiba
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-performance N-channel MOSFET

在庫：5,515

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください SSM3J56ACT,L3F このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

購入数量*

連絡先*

連絡先メールアドレス*

会社

その他のニーズ

P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Toshiba	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	CST3-3
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	1.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	1.6 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	500 mW	Channel Mode	Enhancement
Tradename	U-MOSVI	Series	SSM3J56
Brand	Toshiba	Configuration	Single
Height	0.38 mm	Length	1 mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	10000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Width	0.6 mm	Unit Weight	0.000026 oz
Product Status	Active	FET Type	P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)	Operating Temperature	150°C
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	CST3
Base Product Number	SSM3J56

保証、返品、および追加情報

QAと返品ポリシー

部品の品質保証: 365 日

返品・返金：90日以内

返品・交換：90日以内
配送と梱包

配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
支払い

たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。