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STF13N65M2

High-power switching device for DC/DC converters and motor control applicatio

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.729 $0.73
10 $0.607 $6.07
30 $0.547 $16.41
100 $0.486 $48.60
500 $0.450 $225.00
1000 $0.431 $431.00

在庫：8,097

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概要 STF13N65M2

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.

主な特長

  • High surge current handling capability
  • Fully RoHS compliant
  • Improved thermal resistance for efficient heat dissipation
  • Silicon-protected for long lifespan

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STF13N65M2 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Package Description TO-220FP, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Avalanche Energy Rating (Eas) 350 mJ Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 650 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 10 A Drain Current-Max (ID) 10 A
Drain-source On Resistance-Max 0.43 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40 A Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

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