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STF33N65M2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.420 $2.42
10 $2.106 $21.06
30 $1.908 $57.24
100 $1.706 $170.60
500 $1.541 $770.50
1000 $1.500 $1,500.00

在庫:3,996

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概要 STF33N65M2

The STF33N65M2 Power MOSFETs stand out for their advanced MDmesh™ M2 technology, which enhances their performance and efficiency. With a unique strip layout and improved vertical structure, these devices offer low on-resistance and optimized switching characteristics. This makes them ideal for high efficiency converters that require reliable and responsive power control

主な特長

  • Sophisticated design architecture
  • Low power consumption profile
  • Robustness against latch-up

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STF33N65M2 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Package Description TO-220FP, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Avalanche Energy Rating (Eas) 780 mJ Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 650 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 24 A Drain Current-Max (ID) 24 A
Drain-source On Resistance-Max 0.14 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 34 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96 A
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

保証と返品

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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