• STGD5H60DF DPAK
STGD5H60DF DPAK

STGD5H60DF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

在庫：3,990

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概要 STGD5H60DF

The STGD5H60DF IGBT stands out for its advanced trench gate field-stop structure, setting new standards for conduction and switching performance. Belonging to the highly efficient H series, this device strikes the perfect balance between conduction and switching losses, making it a top choice for high-frequency converters. Its slightly positive VCE(sat) temperature coefficient ensures stability across varying operating conditions, while tight parameter distribution guarantees safe operation when paralleling multiple devices

STGD5H60DF

主な特長

  • Rapid switching speed
  • Precise voltage regulation
  • Extensive temperature range

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGD5H60DF Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics Additional Feature BULK: 1000
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 10 A
Collector-Emitter Voltage-Max 600 V Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.9 V Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-252 JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 175 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 83 W
Surface Mount YES Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 280 ns Turn-on Time-Nom (ton) 39 ns
VCEsat-Max 1.95 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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