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STGP20H60DF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

在庫：7,958

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概要 STGP20H60DF

Unleashing groundbreaking advancements, the STGP20H60DF epitomizes excellence in IGBT technology with its cutting-edge trench gate and field stop construction. By meticulously balancing conduction and switching losses, this series sets a new standard in efficiency for very high frequency converters. Its advantageous VCE(sat) temperature coefficient and stringent parameter consistency pave the way for simplified parallel operation, offering users a seamless and reliable experience in their applications

主な特長

  • Pulse energy storage
  • Excellent thermal stability
  • Very low capacitance loss
  • Robust mechanical construction

応用

POWER CONTROL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGP20H60DF Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 40 A Collector-Emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7 V
Gate-Emitter Voltage-Max 20 V JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 167 W Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Nom (toff) 259 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 55.9 ns VCEsat-Max 2 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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