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STGWA50IH65DF

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

在庫：7,616

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概要 STGWA50IH65DF

Elevate your applications with the STGWA50IH65DF, a top-of-the-line IGBT featuring advanced technology for enhanced performance. With a proprietary trench gate field-stop structure, this product offers optimized conduction and switching losses for seamless soft commutation. The inclusion of a low drop forward voltage freewheeling diode further maximizes efficiency, making it the ideal choice for any resonant and soft-switching applications

主な特長

  • Designed for soft-commutation only
  • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
  • VCE(sat) = 1.5 V (typ.) @ IC = 50 A
  • Minimized tail current
  • Tight parameter distribution
  • Low thermal resistance
  • Low voltage drop freewheeling co-packaged diode
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGWA50IH65DF Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 100 A
Collector-Emitter Voltage-Max 650 V Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7 V Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 175 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 300 W
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Nom (toff) 294 ns
VCEsat-Max 2 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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