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STGWT40H65DFB

IGBT Transistors 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB

在庫：8,594

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概要 STGWT40H65DFB

The STGWT40H65DFB is a cutting-edge IGBT featuring a state-of-the-art trench gate field-stop structure, representing the pinnacle of technological innovation in the field. As part of the HB series of IGBTs, this device strikes the perfect balance between conduction and switching loss, guaranteeing unrivaled efficiency in any frequency converter application. Its positive VCE(sat)temperature coefficient and highly consistent parameter distribution make it an ideal choice for parallel operation, ensuring optimal performance and reliability

主な特長

  • High current handling capacity
  • Small thermal resistance
  • Soft recovery diode characteristic

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGWT40H65DFB Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Package Description ,
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Collector Current-Max (IC) 80 A Collector-Emitter Voltage-Max 650 V
Gate-Emitter Voltage-Max 20 V Operating Temperature-Max 175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 283 W Surface Mount NO
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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