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STGYA120M65DF2

Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube

在庫：4,567

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概要 STGYA120M65DF2

The STGYA120M65DF2 is a cutting-edge IGBT designed with a proprietary trench gate field-stop structure, offering exceptional performance and efficiency in inverter systems. Belonging to the M series IGBTs, this device strikes a perfect balance between low-loss operation and necessary short-circuit functionality. Its positive VCE(sat) temperature coefficient and precise parameter distribution ensure safe operation when used in parallel setups, making it a reliable choice for various industrial applications

主な特長

  • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
  • 6 μs of minimum short-circuit withstand time
  • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A
  • Tight parameter distribution
  • Safer paralleling
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient
  • Low thermal resistance
  • Soft- and fast-recovery antiparallel diode

応用

POWER CONTROL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STGYA120M65DF2 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Manufacturer Package Code MAX247 LONG LEADS
Reach Compliance Code compliant Samacsys Manufacturer STMicroelectronics

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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