TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Name: TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor And Storage
Rating: 4.5 (10 reviews)

Taped and Reeled Transistor MOSFET TJ50S06M3L

在庫：5,863

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P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	DPAK-3 (TO-252-3)	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	50 A	Rds On - Drain-Source Resistance	13.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	124 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	90 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	U-MOSVI	Series	TJ50S06M3L
Brand	Toshiba	Configuration	Single
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Width	5.5 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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