TK65G10N1,RQ

Name: TK65G10N1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

在庫：8,279

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N-Channel 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount D2PAK

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	U-MOSVIII-H	Product Status	Obsolete
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	D2PAK
Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Base Product Number	TK65G10

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