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UJ3C120040K3S

SiC-based transistor combining N-JFET and N-MOSFET functionalities, designed for unipolar operation with a cascode setup, supporting voltages up to 1

在庫：7,349

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概要 UJ3C120040K3S

The UJ3C120040K3S by UnitedSiC is a state-of-the-art semiconductor device engineered for high-speed switching applications in power electronics. Boasting a 1200V breakdown voltage, 40mOhm on-resistance, and a maximum continuous drain current of 40A, this JFET cascode device offers exceptional performance and reliability. With its low gate charge and input capacitance, it enables fast switching speeds, leading to improved efficiency in power conversion systems. Widely used in motor drives, inverters, and power supplies, the UJ3C120040K3S sets a new standard for seamless operation and enhanced energy efficiency

主な特長

  • 1. High Voltage Capability
  • 2. Low ESR Design
  • 3. AEC-Q200 Qualified

応用

  • Healthcare solutions
  • Robotic control panels
  • Specialized monitors

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology SiC Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV
Id - Continuous Drain Current 65 A Rds On - Drain-Source Resistance 45 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 51 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 429 W
Channel Mode Enhancement Qualification AEC-Q101
Tradename SiC FET Series UJ3C
Brand Qorvo Configuration Single
Fall Time 20 ns Product Type MOSFET
Rise Time 20 ns Factory Pack Quantity 600
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 63 ns
Typical Turn-On Delay Time 33 ns Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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