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VS-GT80DA120U

Trans IGBT Module N-CH 1200V 139A 658W 4-Pin SOT-227

在庫：5,480

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概要 VS-GT80DA120U

IGBT Module Trench Single 1200 V 139 A 658 W Chassis Mount SOT-227

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Continuous Collector Current at 25 C 139 A
Gate-Emitter Leakage Current 220 nA Pd - Power Dissipation 658 W
Package / Case SOT-227-4 Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Brand Vishay Semiconductors
Mounting Style SMD/SMT Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si

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