APT1001RBN
APT1001RBN overview by Microchip Technology
在庫:6,074
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : APT1001RBN
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パッケージ/ケース : TO-247
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Brand : Microchip
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Components Classification : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : APT1001RBN データシート (PDF)
概要 APT1001RBN
N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
主な特長
- - High current handling capability
- - Robust thermal management
- - Compact design
- - Wide power supply tolerance
- - Low EMI radiation
- - Efficient surge protection
応用
- Precision engineering
- Energy-efficient systems
- Cutting-edge equipment
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | Microchip Technology | Brand | Microchip Technology |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
![APT25GT120BRDQ2G](/img/package/to247.jpg)
APT25GT120BRDQ2G
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
![BC847QAPNZ](/img/package/dfn6.jpg)
BC847QAPNZ
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
![NDS352AP](/img/package/ssot3.jpg)
NDS352AP
0V 0.9A P-Channel SuperSOT MOSFET Transistor
![APT8015JVFR](/img/package/sot.jpg)
APT8015JVFR
High-power single transistor module APT8015JVFR with 800V voltage rating
![APT8011JFLL](/img/package/sot.jpg)
APT8011JFLL
APT8011JFLL MOSFET with 800V Power and 4-Pin SOT-227 Configuration
![IRFPS37N50APBF](/img/package/to247.jpg)
IRFPS37N50APBF
Transistor MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin TO-274AA T/R
![IRFBC40APBF](/img/package/to220.jpg)
IRFBC40APBF
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
![APT8015JVR](/img/package/sot.jpg)
APT8015JVR
Product APT8015JVR is an N-channel MOSFET featuring a maximum voltage of 800 volts and a maximum current of 44 amps
![APT28M120B2](/img/package/to247.jpg)
APT28M120B2
Packaged in a T-MAX tube
![APT100M50J](/img/package/sot.jpg)
APT100M50J
APT100M50J represents a discrete semiconductor module utilizing MOSFET components
![IPW60R099P7XKSA1](/img/package/to247.jpg)
IPW60R099P7XKSA1
Power MOSFET featuring N-channel configuration, rated for voltages up to 600V and currents up to 31A, encapsulated in TO-247 packaging
![IRGIB10B60KD1P](/img/package/to220f.jpg)
IRGIB10B60KD1P
Silicon semiconductor device for power switching
![SI3421DV-T1-GE3](/img/package/sot236.jpg)
SI3421DV-T1-GE3
VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -8A, TSOP-6
![APT20M22JVR](/img/package/sot.jpg)
APT20M22JVR
Product description: MOSFET with 200V voltage rating and 22mOhm resistance in SOT-227 package
![TC6320TG-G](/img/package/soic8.jpg)
TC6320TG-G
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
![MJD253T4G](/img/package/dpak.jpg)
MJD253T4G
100 V Voltage Rating
![IPG20N10S4L22AATMA1](/img/package/son8.jpg)
IPG20N10S4L22AATMA1
Transistor MOSFET N-channel rated for automotive use
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Field Effect Transistor PSMN5R5-60YS
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IRG4PSC71K
Power Semiconductor Component for Circuit Design
![IXFH150N17T](/img/package/to247.jpg)
IXFH150N17T
Silicon-based Power Field-Effect Transistor capable of handling 150A I(D) current and 175V