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APT33GF120BRG

1200V Non-Punch-Thru IGBT APT33GF120BRG

在庫:6,535

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概要 APT33GF120BRG

The APT33GF120BRG silicon carbide Schottky diode module from Microsemi Corporation is transforming high-performance applications with its state-of-the-art design and exceptional features. Featuring a dual diode configuration with a common cathode and a current rating of 33A, this module is engineered to deliver high efficiency, high switching frequency, and low reverse recovery current. With a maximum forward current of 33A and a reverse voltage rating of 1200V, it is tailor-made for high-power applications, while its low forward voltage drop and fast switching speed ensure superior efficiency and performance in a variety of power electronics applications. Housed in a compact and rugged package, the APT33GF120BRG module offers easy installation and reliable operation, even in the most demanding environments. Thanks to its internal temperature monitoring and protection features, this module guarantees safe and reliable operation under different operating conditions

主な特長

  • Smart power control algorithms
  • Fault-tolerant design
  • High reliability operation
  • Compact size and weight

応用

  • Power
  • Drive
  • Solar

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Type Discrete IGBT Package Type(s) D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264, TO-264-MAX
Power Dissipation (W) [max] 250 - 962 Collector Current (dc) (A) [max] 18 - 90

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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