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APT50M65JFLL

CH 500V 58A 4-Pin SOT-227 Tube

在庫：9,881

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概要 APT50M65JFLL

For those seeking a balance between performance and cost, Power MOS V® remains a top contender. With a low resistance aluminum metal gate structure, Power MOS V® enables rapid gate signal propagation, resulting in ultra-low internal chip equivalent gate resistances. This unique design feature allows for uniform high-speed switching capabilities across the entire chip, making it a versatile option for a variety of applications

主な特長

    仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Product Type Silicon Discrete MOSFET Continuous Drain Current at 25°C (A) [max] 22 - 103
    Package Type(s) D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264 Continuous Drain Current at 25°C [I(D)] (A) [family max] 103

    保証と返品

    保証、返品、および追加情報

    • QAと返品ポリシー

      部品の品質保証: 365 日

      返品・返金：90日以内

      返品・交換：90日以内

    • 配送と梱包

      配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

      部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

    • 支払い

      たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

      特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

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    Single P-Channel MOSFET with 52mOhm resistance
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    TO-220AB TRIACs adhering to ROHS standards
    IXXN110N65C4H1

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    Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750W 4-Pin SOT-227B
    SSTJ212

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    SSTJ212 is a Silicon-based N-Channel Junction FET, optimized for Ultra High Frequency Band applications. It features a Plastic Package-3 design
    2SC5053T100Q

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    Small Signal Bipolar Transistor
    SQ2360EES-T1-GE3

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    SQ2360EES-T1-GE3 from Vishay: An N-channel MOSFET transistor rated for currents up to 4