BC857CW_R1_00001
SOT-packaged transistors designed for surface mount technology (SMT) PCB design
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $0.053 | $0.05 |
| 200 | $0.021 | $4.20 |
| 500 | $0.021 | $10.50 |
| 1000 | $0.020 | $20.00 |
在庫：5,958
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部品番号 : BC857CW_R1_00001
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パッケージ/ケース : SOT-323
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Brand : Panjit
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Components Classification : Single Bipolar Transistors
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日付シート : BC857CW_R1_00001 データシート (PDF)
概要 BC857CW_R1_00001
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 200MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Manufacturer | Panjit | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Details | Series | GPT-02TAP |
| Brand | Panjit | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.000176 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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BC847BW,115
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BCP53T1G
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BCW66GLT1G
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BC857CLT1G
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BC856BLT1G
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BC847ALT1G
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BC817-40LT1G
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BC63916-D27Z
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STD4NK50ZT4
Tape and Reel packaging for STD4NK50ZT4
JANTXV2N2907A
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW
FP10R12KE3
Advanced Electronic IGBT Component
NPT25100B
RF Power Transistor NPT25100B Specifications"
SI4825DDY-T1-GE3
High-current P-channel MOSFET
NTD6416ANLT4G
This MOSFET N-channel device is suitable for high power applications requiring efficient switching
TP0101T
20V 0.6A 0.35W MOSFET
IRF9530PBF
P-Channel Power MOSFET with a Voltage Rating of 100V and Current Handling Capability of 12A in TO-220AB Package
IRG4PF50WDPBF
51A Collector Current