SI3460DDV-T1-GE3

Name: SI3460DDV-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

20V N-channel MOSFET capable of handling currents up to 7.9A, housed in a 6-pin TSOP package, supplied in tape and reel format

在庫：6,210

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部品番号 : SI3460DDV-T1-GE3
パッケージ/ケース : TSOP-6
Brand : Siliconix
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI3460DDV-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI3460DDV

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概要 SI3460DDV-T1-GE3

The SI3460DDV-T1-GE3 MOSFET from Vishay is a powerful component designed for N-channel configurations. With a 20V drain-source voltage and a 7.9A continuous drain current, this MOSFET can handle high power loads with ease. Its surface mount design simplifies installation on circuit boards, and the 4.5V Rds(On) test voltage ensures efficient power transfer. However, it is important to note that this product is not RoHS compliant, which may be a consideration for environmentally conscious users

主な特長

TrenchFET® power MOSFET

Typical ESD protection 1500 V in HBM

100 % Rg tested

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TSOP-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	7.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	18 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.7 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI3	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Height	1.1 mm	Length	3.05 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	12 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	21 ns
Typical Turn-On Delay Time	6 ns	Width	1.65 mm
Part # Aliases	SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-GE3	Unit Weight	0.000705 oz

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