BSC026NE2LS5ATMA1

Name: BSC026NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

25V 82A N-Channel MOSFET

在庫：6,346

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部品番号 : BSC026NE2LS5ATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSC026NE2LS5ATMA1 データシート (PDF)
Series : BSC026NE2LS5

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概要 BSC026NE2LS5ATMA1

Elevate your projects with the BSC026NE2LS5ATMA1, a product that offers unparalleled efficiency and power capabilities. Infineon's dedication to pushing the boundaries of technology is evident in this latest offering, which paves the way for future advancements in power management. Whether you're looking to optimize standby power or maximize operational performance, this product is sure to exceed your expectations

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS 5	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Ta), 82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 12 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 29W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	BSC026
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	REACH	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Id - Continuous Drain Current	82 A	Rds On - Drain-Source Resistance	4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 16 V, + 16 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Qg - Gate Charge	12 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	29 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	2 ns	Forward Transconductance - Min	55 S
Height	1.27 mm	Length	5.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	3 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	13 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns	Width	5.15 mm
Part # Aliases	BSC026NE2LS5 SP001212432	Unit Weight	0.004151 oz

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