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BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1 PK Infineon MOSFET

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概要 BSC032N04LSATMA1

The BSC032N04LSATMA1 MOSFET is a high-performance N-channel transistor designed for a variety of automotive applications. With a continuous drain current rating of 98A and a drain-source voltage of 40V, this MOSFET offers reliable power handling capabilities. The on-resistance of 0.0025ohm and a threshold voltage of 2V make it an efficient choice for power switching applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series OptiMOS 5 Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TDSON-8-6
Package / Case TDSON-8 Base Product Number BSC032
Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 98 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V Qg - Gate Charge 35 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 52 W Channel Mode Enhancement
Tradename OptiMOS Brand Infineon Technologies
Configuration Single Fall Time 3 ns
Forward Transconductance - Min 75 S Height 1.27 mm
Length 5.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 4 ns Factory Pack Quantity 5000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 19 ns Typical Turn-On Delay Time 4 ns
Width 5.15 mm Part # Aliases BSC032N04LS SP001067018
Unit Weight 0.003583 oz

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