• packageimg
packageimg

DMG8601UFG-7

8-Pin DFN EP Transistor MOSFET for High Power Applications

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.297 $0.30
10 $0.242 $2.42
30 $0.218 $6.54
100 $0.189 $18.90
500 $0.176 $88.00
1000 $0.168 $168.00

在庫：5,521

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください DMG8601UFG-7 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 DMG8601UFG-7

Mosfet Array 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8

主な特長

  • Drain Current –ID=
  • [email protected]
  • TC=25℃
  • Drain Source Voltage-
  • : VDSS= 30V(Min)
  • Static Drain-Source On-Resistance
  • : RDS(on) = 7.5mΩ (Max)
  • 100% avalanche tested
  • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
  • performance and reliable operation

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case U-DFN3030-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 6.1 A Rds On - Drain-Source Resistance 17 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 350 mV
Qg - Gate Charge 8.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 920 mW
Channel Mode Enhancement Series DMG8601
Brand Diodes Incorporated Configuration Dual
Fall Time 234 ns, 234 ns Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 78 ns, 78 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 562 ns, 562 ns
Typical Turn-On Delay Time 53 ns, 53 ns Unit Weight 0.002293 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。