BSC034N10LS5ATMA1

Name: BSC034N10LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-voltage N-channel MOSFET transistor suitable for applications requiring a maximum current of 19 amps

在庫：8,379

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部品番号 : BSC034N10LS5ATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSC034N10LS5ATMA1 データシート (PDF)
Series : BSC034N10LS5

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概要 BSC034N10LS5ATMA1

N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™ 5	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 115µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 156W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	BSC034
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.4 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.3 V	Qg - Gate Charge	46 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	156 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Fall Time	16 ns
Forward Transconductance - Min	60 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns	Typical Turn-On Delay Time	9..6 ns
Part # Aliases	BSC034N10LS5 SP001385620	Unit Weight	0.032981 oz

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