SMMBT3904WT1G
SMMBT3904WT1G by ON SEMICONDUCTOR - AEC-Q101 NPN Transistor, 40V, SOT-323
在庫：5,350
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部品番号 : SMMBT3904WT1G
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パッケージ/ケース : SC70-3
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ブランド : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
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日付シート : SMMBT3904WT1G データシート (PDF)
概要 SMMBT3904WT1G
Upgrade your projects with the SMMBT3904WT1G NPN Bipolar Transistor and experience enhanced performance and reliability. Designed for easy installation and seamless integration, this transistor is a cost-effective solution for all your amplifier needs. Trust in the quality and efficiency of the SMMBT3904WT1G to bring your electronic designs to the next level
主な特長
- Low ESR and High Ripple Current Handling
- Miniaturized Package Saves Board Space and Weight
- AEC-Q101 Qualified for Automotive and Other Applications
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SC-70-3 / SOT-323-3 | Case Outline | 419-04 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.3 |
| IC Cont. (A) | 0.2 | VCEO Min (V) | 40 |
| VCBO (V) | 60 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 0.95 | hFE Min | 100 |
| hFE Max | 300 | fT Min (MHz) | 300 |
| PTM Max (W) | 0.15 | Pricing ($/Unit) | $0.0521 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
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特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
SSM3J328R,LF
29.8m¦¸@4.5V,3A 1W 1V@1mA
ESM2030DV
High-power NPN silicon transistor designed for industrial applications
FGH40N60SMDF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
PSMN014-40YS,115
Nexperia PSMN014-40YS,115
PSMN015-100YLX
LFPAK56 packaged logic level MOSFET with 15mΩ on-resistance at 100V
PSMN020-100YS,115
37 mOhm Resistance
PSMN022-30PL,127
High-performance N-channel MOSFET engineered for logic-level circuits
PSMN039-100YS,115
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
PSMN1R4-40YLDX
With a maximum power dissipation of 238W and a threshold voltage of 2.2V at 1mA, this MOSFET is suitable for high-performance applications
PSMN1R9-40PLQ
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
FJN3314RTA
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
IXCH36N250
2500V N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Chip, 73A, 595W, TO-247 Package
AOD5N50
With a voltage rating of 500V, a continuous drain current of 3
PHE13005
voltage NPN bipolar transistor
DTC144EKAT146
This product, DTC144EKAT146, is a NPN transistor packaged as DTC144EKA PK
DTC114YETL
00mA 3-Pin EMT T/R - Tape and Reel
RK7002T116
SOT23 MOSFET RK7002T116 N-Channel
IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBF MOSFET: N Channel device in D2PAK package
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Si1416EDH-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 Vishay