BSD316SNH6327XTSA1

Name: BSD316SNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

在庫：6,259

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部品番号 : BSD316SNH6327XTSA1
パッケージ/ケース : SOT-363-6
ブランド : Infineon Technologies
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSD316SNH6327XTSA1 データシート (PDF)
Series : BSD316SN

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概要 BSD316SNH6327XTSA1

N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	BSD316	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 3.7µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	94 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-SOT363-PO
Package / Case	SOT-363-6	Base Product Number	BSD316
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	1.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	192 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.6 V	Qg - Gate Charge	600 pC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	500 mW	Channel Mode	Enhancement
Qualification	AEC-Q101	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	1 ns
Forward Transconductance - Min	2.3 S	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	2.3 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	5.8 ns	Typical Turn-On Delay Time	3.4 ns
Width	1.25 mm	Part # Aliases	BSD316SN H6327 SP000917668
Unit Weight	0.000265 oz

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