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BSM50GD120DN2

IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE

数量 単価(USD) 合計金額
1 $338.869 $338.87
200 $131.138 $26,227.60
500 $126.531 $63,265.50
1000 $124.252 $124,252.00

在庫：8,328

*価格は参考値です。
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概要 BSM50GD120DN2

The high power density and exceptional thermal performance of the BSM50GD120DN2 make it an ideal choice for motor drives, renewable energy systems, and other demanding industrial applications. Its modular design and easy mounting options simplify installation and maintenance, saving valuable time and resources for users

主な特長

  • Efficient and reliable power conversion
  • Safe and soft switching solutions
  • Thermal monitoring and control
  • Precise voltage regulation

応用

  • Industrial use
  • Electric vehicles
  • Power supplies

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 72 A Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Pd - Power Dissipation 350 W Package / Case EconoPACK 2A
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 107.5 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 45 mm
Part # Aliases SP000100359 BSM50GD120DN2BOSA1 Unit Weight 8.822900 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。