BSZ100N03MSGATMA1

Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-Power Electronics Component for Efficient Design

在庫：5,860

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部品番号 : BSZ100N03MSGATMA1
パッケージ/ケース : TSDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSZ100N03MSGATMA1 データシート (PDF)
Series : BSZ100N03MS-G

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概要 BSZ100N03MSGATMA1

N-Channel 30 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS 3M	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 30W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Package / Case	TSDSON-8	Base Product Number	BSZ100
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	REACH	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	40 A	Rds On - Drain-Source Resistance	7.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	23 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	30 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	2.4 ns	Forward Transconductance - Min	26 S
Height	1.1 mm	Length	3.3 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.8 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	16 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.8 ns	Width	3.3 mm
Part # Aliases	BSZ100N03MS G SP000311510	Unit Weight	0.001367 oz

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