BSZ130N03LSGATMA1

Name: BSZ130N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-power N-channel enhancement-mode MOSFET for reliable switching application

在庫：7,561

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N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	970 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 25W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Package / Case	TSDSON-8	Base Product Number	BSZ130
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
Mounting Style	SMD/SMT	Tradename	OptiMOS
Brand	Infineon Technologies	Height	1.1 mm
Length	3.3 mm	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs	Width	3.3 mm
Part # Aliases	BSZ130N03LS G SP000278810	Unit Weight	0.001367 oz

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