DDB2U30N08VR
N-Channel IGBT Modules rated at 600V and 25A
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $30.348 | $30.35 |
| 200 | $11.745 | $2,349.00 |
| 500 | $11.332 | $5,666.00 |
| 1000 | $11.128 | $11,128.00 |
在庫：7,590
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部品番号 : DDB2U30N08VR
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パッケージ/ケース : Module
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Brand : Infineon Technologies
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Components Classification : IGBT Modules
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日付シート : DDB2U30N08VR データシート (PDF)
概要 DDB2U30N08VR
IGBT Module 3 Independent 600 V 25 A 83.5 W Chassis Mount Module
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Package | Bulk | Product Status | Obsolete |
| Configuration | 3 Independent | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A | Power - Max | 83.5 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 20A | Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 880 pF @ 25 V | Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes | Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module | Base Product Number | DDB2U30 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
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SI2333DDS-T1-GE3
SOT-23 MOSFET designed for P Channel operation, featuring a 12V voltage rating and a resistance of 28mΩ at 4.5V for currents up to 6A
DDTC114ECA-7-F
Diodes Inc. DDTC114ECA-7-F
DDTD113ZC-7-F
Diodes Inc, DDTD113ZC-7-F NPN Digital Transistor, 500 mA 1 kΩ, Ratio Of 0.1, 3-Pin SOT-23
DDTC123ECA
Transistors with Predetermined Biasing
FDD3672
6.5A current capacity N-channel power MOSFET with a voltage rating of 100V, packaged in DPAK with 3 pins, including 2 tabs
FDD3682
This MOSFET, identified by the model number FDD3682, exhibits a threshold voltage of 4V at a leakage current of 250uA
FDD306P
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDD86326
Trans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDD8874
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-363 Vishay
PH1214-220M
Silicon-based NPN transistor with high frequency performance
ND2020L
Channel Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor
IPN70R1K5CEATMA1
N Channel MOSFETs ROHS 700V 5.4A 1.5Ω@1A
ON4402H
Advanced semiconductor component for microwave transmission
MMBT5089LT1G
NPN transistor with a maximum voltage rating of 25V and a current handling capability of 50mA, packaged in SOT-23-3
BLT50,115
BLT50 - UHF power transistor SC-73 4-Pin
PHN210T
N-Channel Metal-oxide Semiconductor FET
SI4431BDY-T1-E3
SI4431BDY-T1-E3
SI3443DDV-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R
AON2812
Tape and Reel Packaging