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SI2333DDS-T1-GE3

SOT-23 MOSFET designed for P Channel operation, featuring a 12V voltage rating and a resistance of 28mΩ at 4.5V for currents up to 6A

在庫：7,339

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概要 SI2333DDS-T1-GE3

Meet the SI2333DDS-T1-GE3, a high-performing small signal field-effect transistor that delivers exceptional reliability and efficiency. With a 6A I(D) and 12V capacity, this P-channel silicon MOSFET is designed to meet the demands of various electronic applications. The TO-236AB package and halogen-free, RoHS compliant construction make it an environmentally friendly choice, while the 3-pin configuration of the TO-236 package ensures easy integration into existing circuitry. The metal-oxide semiconductor design provides robustness and stability, making it suitable for amplifiers, voltage regulators, and other electronic devices requiring small signal switching capabilities

主な特長

  • None

    • 応用

    Smart Phones and Tablet PCs - Load Switch - Battery Switch

    仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
    Id - Continuous Drain Current 6 A Rds On - Drain-Source Resistance 23 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
    Qg - Gate Charge 9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.7 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Single Fall Time 20 ns
    Height 1.45 mm Length 2.9 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 24 ns
    Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 45 ns
    Typical Turn-On Delay Time 26 ns Width 1.6 mm
    Part # Aliases SI2333DDS-T1-BE3 Unit Weight 0.000282 oz

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