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DTC123EUAT106

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

数量 単価(USD) 合計金額
20 $0.021 $0.42
200 $0.019 $3.80
600 $0.017 $10.20
3000 $0.016 $48.00
9000 $0.016 $144.00
21000 $0.016 $336.00

在庫：4,947

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概要 DTC123EUAT106

The DTC123EUAT106 is a groundbreaking invention by ROHM, being the world's first NPN digital transistor with built-in resistors. This standard product revolutionizes the field of digital transistors, offering unparalleled efficiency and convenience for electronic circuitry

主な特長

  • 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2kΩ
  • 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) .
  • 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.
  • 4) Complementary PNP Types: DTA123E series

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Not Recommended Ihs Manufacturer ROHM CO LTD
Part Package Code SC-70 Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-Emitter Voltage-Max 50 V Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 20 JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e1 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

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MTW7N80E

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N-CHANNEL POWER MOSFET
2SA1941-O(Q)

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PNP Bipolar Junction Transistors (BJT) designed for applications requiring a voltage rating of -140V
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250V 45A Power Transistor
2N7000KL-TR1-E3

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MOSFET suitable for circuits requiring 60V and 0.47A specifications
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Automotive-grade P-Channel MOSFET with 40V Voltage Rating and 50A Current Capacity in DPAK Package
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F5-75R06KE3_B5 specifications
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HIGH EFFICIENCY THYRISTOR
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1200V Non-Punch-Thru IGBT APT33GF120BRG
2N7002NXBKR

2N7002NXBKR

ROHS compliant and suitable for various electronic applications