FF3MR20KM1HHPSA1
Discrete Semiconductor Modules
在庫:6,950
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : FF3MR20KM1HHPSA1
-
パッケージ/ケース : Module
-
Brand : Infineon
-
Components Classification : IGBT Modules
-
日付シート : FF3MR20KM1HHPSA1 データシート (PDF)
概要 FF3MR20KM1HHPSA1
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 FF3MR20KM1HHPSA1 ドライバー、プロデュース Infineon. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 FF3MR20KM1HHPSA1.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | Discrete Semiconductor Modules | RoHS | Details |
Brand | Infineon Technologies | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Part # Aliases | FF3MR20KM1H SP005593423 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
![FF11MR12W1M1B11BOMA1](/img/package/module.jpg)
FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1 EasyDUAL Module with CoolSiC™ Mosfet
![FF150R12ME3G](/img/package/module.jpg)
FF150R12ME3G
The FF150R12ME3G IGBT module delivers a power output of 695W and can manage currents of up to 200A at 1
![FF200R12KT3](/img/package/module.jpg)
FF200R12KT3
ROHS certified Gate Drive ICs - FF200R12KT3
![FF23MR12W1M1B11BOMA1](/img/package/module.jpg)
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Transistor Module
![FF300R12MS4](/img/package/module.jpg)
FF300R12MS4
High Current N-Channel IGBT Module rated at 1.2KV
![FF600R07ME4B11BOSA1](/img/package/module.jpg)
FF600R07ME4B11BOSA1
MEDIUM POWER ECONO IGBT Modules
![FFB2227A](/img/package/sc70.jpg)
FFB2227A
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
![FFB3904](/img/package/sc70.jpg)
FFB3904
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
![ZXMP2120FFTA](/img/package/sot23f.jpg)
ZXMP2120FFTA
The ZXMP2120FFTA MOSFET is a P-channel device suitable for various applications
![ZXTN07045EFFTA](/img/package/sot233.jpg)
ZXTN07045EFFTA
5V 4A SOT23F, PK
![IXYP20N65C3D1](/img/package/to220ab.jpg)
IXYP20N65C3D1
TO-220AB packaged IGBT chip capable of handling up to 650 volts and 50 amps
![SMBT3904E6327HTSA1](/img/package/sot23.jpg)
SMBT3904E6327HTSA1
NPN Bipolar Junction Transistor for General Purpose Applications, with a Maximum Voltage Rating of 40 Volts and Current Rating of 0
![BBS3002-TL-1E](/img/package/to263.jpg)
BBS3002-TL-1E
With a voltage rating of 60V and a maximum current of 100A
![BUY89](/img/package/to3.jpg)
BUY89
Compact BUY89 transistor with 800V collector-emitter sustaining voltage for efficient performance
![IRL3803PBF](/img/package/to220.jpg)
IRL3803PBF
With its low on-resistance and high current capacity, IRLPBF is perfect for power switching and contro
![ZVP4525GTA](/img/package/sot223.jpg)
ZVP4525GTA
P-Channel Silicon MOSFET with SOT-223 Package, 0.265A Drain Current, 250V Voltage Rating
![SSM6K819R,LXHF](/img/package/smd.jpg)
SSM6K819R,LXHF
High-power MOSFET SSM6K819R,LXHF
![MMUN2212LT1](/img/package/to-3.jpg)
MMUN2212LT1
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, 100mA 50V (Product MMUN2212LT1)
![SIA449DJ-T1-GE3](/img/package/power33.jpg)
SIA449DJ-T1-GE3
P-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET, with a Drain Current of 12A, Voltage Rating of 30V, 0.02ohm Resistance, SC-70 Package, 6 Pins
![SI2399DS-T1-GE3](/img/package/sot233.jpg)
SI2399DS-T1-GE3
-20V Vds and 12V Vgs MOSFET available in SOT-23 package