SIA449DJ-T1-GE3

Name: SIA449DJ-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

P-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET, with a Drain Current of 12A, Voltage Rating of 30V, 0.02ohm Resistance, SC-70 Package, 6 Pins

在庫：5,818

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部品番号 : SIA449DJ-T1-GE3
パッケージ/ケース : POWERPAK-6
ブランド : VISHAY
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SIA449DJ-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SIA449DJ

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概要 SIA449DJ-T1-GE3

P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

主な特長

["TrenchFET\u00ae Power MOSFET ", "Thermally Enhanced PowerPAK\u00ae SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance ", "100 % R Tested ", "Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912"]

応用

["Providing low voltage drop in Smart Phones, Tablet PCs, Mobile Computing: - Power Management - Charger Switches - Load Switches - DC/DC Converters"]

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PowerPAK-SC70-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	12 A	Rds On - Drain-Source Resistance	15.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	72 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	19 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET, PowerPAK
Series	SIA	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	31 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	39 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Unit Weight	0.001446 oz

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